特許
J-GLOBAL ID：200903076572152873

多層セラミック基板

発明者：
中島 千鶴夫

中島 千鶴夫 について

, 
青井 保典

青井 保典 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


代理人 (1件)： 奥田 誠 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151502
公開番号（公開出願番号）：特開平11-346057
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 表面のセラミック層とこれに形成されたビアとの間に隙間が無い多層セラミック基板で、低抵抗の内部配線を備える。【解決手段】 多層セラミック基板10は、アルミナセラミックからなる表面セラミック層1と、これと同材質で、これに隣接する内部セラミック層2と、この間に配置された内部配線層6と、表面セラミック層1を貫通し、密着する表面ビア導体4と、略同軸に配置され、内部セラミック層2を貫通する内部ビア導体5と、更にこれとを接続するキャップ導体7と、を備える。内部配線層6、表面ビア導体4、内部ビア導体5、およびキャップ導体7は、いずれもタングステンとアルミナセラミックとを含み、内部ビア導体5のアルミナセラミックの含有量は、表面ビア導体4のそれより少なく、キャップ導体7のそれよりも多い。内部配線層6とキャップ導体7とは、略同質である。
請求項（抜粋）：
表面セラミック層と、上記表面セラミック層と略同材質で、これに隣接する内部セラミック層と、上記表面セラミック層と上記内部セラミック層との間に配置された内部配線層と、上記表面セラミック層を貫通し、この表面セラミック層と隙間無く密着する表面ビア導体と、上記表面ビア導体と略同軸に配置され、上記内部セラミック層を貫通する内部ビア導体と、上記表面ビア導体と内部ビア導体とを接続するキャップ導体と、を備え、上記内部配線層、表面ビア導体、内部ビア導体、およびキャップ導体は、いずれも金属物質とセラミック物質とを含む複合物質からなり、上記内部ビア導体のセラミック物質の含有量は、上記表面ビア導体のそれと同等かそれより少なく、上記キャップ導体のそれよりも多く、上記内部配線層とキャップ導体とは、略同質の複合物質からなる多層セラミック基板。
FI (3件)：
H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 S
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM