特許
J-GLOBAL ID：200903080152491157

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
大田 一樹

大田 一樹 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-032217
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222160
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】 寄生抵抗を低減した電界効果トランジスタを提供し、素子の性能および信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 基板上に、窒化物半導体からなるチャネル層13と、チャネル層13上に位置し窒化物半導体からなる電子供給層14とを含む積層体を有し、この積層体表面にソース電極16、ドレイン電極17及びゲート電極18を備えた電界効果トランジスタであって、チャネル層13において、ソース電極16及びドレイン電極17各々の下のn型不純物濃度が、ゲート電極18の下のn型不純物濃度よりも高く、電子供給層14において、ソース電極16及びドレイン電極17各々の下のn型不純物濃度が、ゲート電極18の下のn型不純物濃度よりも高い電界効果トランジスタを提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、窒化物半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層上に位置し窒化物半導体からなる電子供給層とを含む積層体を有し、 前記積層体表面にソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備えた電界効果トランジスタであって、 前記チャネル層において、前記ソース電極及び/又は前記ドレイン電極各々の下のn型不純物濃度が、前記ゲート電極の下のn型不純物濃度よりも高く、 前記電子供給層において、前記ソース電極及び/又は前記ドレイン電極各々の下のn型不純物濃度が、前記ゲート電極の下のn型不純物濃度よりも高い 電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (8件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G
Fターム (66件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GL15 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GN04 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F140AA10 ,  5F140AA24 ,  5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BD06 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF07 ,  5F140BG27 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (14件)
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