有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小野由己男 , 稲積朋子 , 堀川かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-129039
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313913
出願日： 2006年05月08日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：

【課題】有機薄膜トランジスタの製造工程を減らすと共に、高解像度有機半導体層を実現することができる有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板と、ある一方向に延びた複数のゲート線と、前記ゲート線と絶縁されて交差する複数のデータ線と、前記データ線に接続されているソース電極と、前記ソース電極と対向するドレイン電極と、前記ドレイン電極に接続されている画素電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極に接続されており、感光性を有する有機物質からなる有機半導体層とを備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、第1方向に延びた複数のゲート線と、前記ゲート線と絶縁されて交差し、第2方向に延びた複数のデータ線と、前記データ線に接続されているソース電極と、前記ソース電極と対向するドレイン電極と、前記ドレイン電極に接続されている画素電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接続されており、感光性を有する有機物質からなる有機半導体層とを備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ表示板。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 51/30 , G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 627C , H01L29/28 100A , H01L29/28 310L , H01L29/28 220A , H01L29/78 618B , H01L29/78 612D , G02F1/1368

Fターム (64件)：

2H092GA29 , 2H092GA50 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092JB51 , 2H092JB69 , 2H092KA09 , 2H092KA12 , 2H092KA13 , 2H092KB04 , 2H092KB11 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA04 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 2H092PA09 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD14 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HM03 , 5F110NN01 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ01

引用特許：

審査官引用 (5件)

コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所
有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-050821 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
フラット・パネル・ディスプレイ用の高性能薄膜トランジスタおよびアクティブ・マトリックス・プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-294866 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション

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