特許
J-GLOBAL ID：200903076715511314

半導体装置及びその製造方法

発明者：
岡田 紀雄

岡田 紀雄 について

, 
相澤 宏一

相澤 宏一 について

, 
民田 浩靖

民田 浩靖 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-113412
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297022
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】回路形成部を囲むシールリングを設けた構成において、十分に耐湿性を向上させ、あるいは、シールリングに誘導電流が発生しないように構成する。【解決手段】開示される半導体装置は、回路形成部18を囲むように半導体チップ1の外周に沿って、素子分離領域2により囲まれたN型拡散領域19にそれぞれ電気的に接続されるように、第1〜第5の層間絶縁膜8、11、13、15、16の膜厚方向に延在した導電層から成る第1〜第3のシールリング21〜23が相互に絶縁されて設けられている。あるいは、3本のシールリング21〜23の長さ方向の一部にそれぞれスリット21A〜23Aが形成され、3本のシールリング21〜23の各スリット21A〜23Aの長さ方向の形成位置が少なくとも隣接するシールリング同士ではずれている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の層間絶縁膜が積層され、該層間絶縁膜に形成された多層配線を含む回路形成部が設けられて成る半導体チップを有する半導体装置であって、 前記複数の層間絶縁膜にはそれぞれ前記回路形成部を囲むように前記半導体チップの外周に沿って配線溝が形成されて、各配線溝内には第1の銅の拡散防止膜を介して銅又は銅を主成分とする導電層が埋設され、かつ該導電層は互いが接続されるように埋設され、前記複数の層間絶縁膜の相互間には前記第1の銅の拡散防止膜と接続されるように第2の銅の拡散防止膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L21/3205
FI (1件)：
H01L21/88 S
Fターム (56件)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033TT04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033VV11 ,  5F033XX00 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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