半導体薄膜基板、半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307502
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127302
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高速動作の薄膜トランジスタ(TFT)を高歩留りに製造する。【解決手段】絶縁性基板1の表面に設けた多結晶半導体薄膜4に電界効果トランジスタ(TFT)を形成する方法であって、絶縁性基板の表面に第一薄膜(シリコン酸化膜)2を形成し、前記第一薄膜上に前記第一薄膜より熱伝導度の高い第二薄膜(シリコン窒化膜)24を形成し、前記第二薄膜を選択的に除去してゲート電極形成領域に対応する部分を残留させ、その後第一・第二薄膜上に前記第二薄膜よりも熱伝導度の高い非晶質半導体膜(非晶質シリコン薄膜)3を形成しかつレーザ5加熱によって多結晶半導体薄膜4に変換させる。多結晶半導体薄膜によって形成されるチャネル部は第二薄膜が存在すること故に結晶粒径が大きくかつ均一・平坦化する。薄膜トランジスタは高速動作が可能になる。また、チャネル部の結晶形成の再現性は良好であり、TFTの高品質・高歩留化が可能になる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成された非単結晶の第一薄膜と、前記第一薄膜上に形成された非単結晶の第二薄膜と、前記第二薄膜上に形成された非単結晶半導体薄膜とを有し、前記第二薄膜の熱伝導度は前記第一薄膜の熱伝導度よりも大きく前記非単結晶半導体薄膜の熱伝導度よりも小さいことを特徴とする半導体薄膜基板。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 626 C

Fターム (60件)：

5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BA04 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA11 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM07 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP15 , 5F110PP24 , 5F110PP35 , 5F110QQ12 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-010753 出願人：株式会社東芝
多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-181378 出願人：三洋電機株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-308037 出願人：シャープ株式会社

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