特許
J-GLOBAL ID：200903076749614570

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

発明者：
斉 藤 好 昭

斉 藤 好 昭 について

, 
杉 山 英 行

杉 山 英 行 について

, 
井 口 智 明

井 口 智 明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-210370
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027575
出願日： 2005年07月20日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 低消費電力、低電流書き込みで動作し、信頼性の高い磁気抵抗効果素子および磁気メモリを提供することを可能にする。【解決手段】 少なくとも2つの磁性層101、103と、磁性層間に設けられた非磁性層102とを有し磁性層が反強磁性結合をし磁化の向きが可変な磁化自由層10と、磁化自由層の一方の側に設けられたトンネルバリア層8と、トンネルバリア層の磁化自由層とは反対側に設けられ磁化の向きが固着された第1磁化固着層6と、磁化自由層のトンネルバリア層とは反対側に設けられた非磁性金属層12と、非磁性金属層の磁化自由層とは反対側に設けられ磁化の向きが固着された第2磁化固着層14と、を備え、第1および第2磁化固着層の磁化の向きは互いに実質的に同じであって、非磁性金属層はCu、Ag、Auのいずれかか、またはそれらの合金からなっており、磁化自由層の非磁性層はRu、Rh、Irのいずれかか、またはそれらの合金からなっているている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも2つの磁性層と、前記磁性層間に設けられた非磁性層とを有し前記磁性層が反強磁性結合をし磁化の向きが可変な磁化自由層と、 前記磁化自由層の一方の側に設けられたトンネルバリア層と、 前記トンネルバリア層の前記磁化自由層とは反対側に設けられ磁化の向きが固着された第1磁化固着層と、 前記磁化自由層の前記トンネルバリア層とは反対側に設けられた非磁性金属層と、 前記非磁性金属層の前記磁化自由層とは反対側に設けられ磁化の向きが固着された第2磁化固着層と、 を備え、 前記第1および第2磁化固着層の磁化の向きは互いに実質的に同じであって、前記非磁性金属層はCu、Ag、Auのいずれかか、またはそれらの合金からなっており、前記磁化自由層の非磁性層はRu、Rh、Irのいずれかか、またはそれらの合金からなっていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112
Fターム (5件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR39
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,256,223号明細書
審査官引用 (5件)
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