特許

J-GLOBAL ID：200903076828398328

高圧物理気相堆積を実行する方法と装置

発明者： ゴパルラジャ, プラブラム ,  スティムソン, ブラッドレイ, オー. ,  フォースター, ジョン, シー. ,  ワン, ウェイ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-567412
公開番号（公開出願番号）：特表2004-506090
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】基板のトレンチとバイア内部の側壁カバレージを改善するために最低1トールの高圧で操作する方法と装置である。【解決手段】本装置はターゲットとペデスタルとを密閉するチャンバと、チャンバに処理ガスを供給する処理ガスと、チャンバ内の最低1トールの高圧を維持するポンプと、ターゲットに連結された電源とを有する。加えて、ターゲットと基板との間の距離は、スパッタ粒子とプラスマとの衝突が基板のトレンチとバイアで確実に起こるように設定される。本方法は、ガス圧力が最低約1トールであるように処理ガスをチャンバへと供給するステップと、処理ガスのプラズマを生成するステップと、材料をターゲットからスパッタするステップとを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

材料を堆積する装置であって、 ターゲットとペデスタルとを収容するチャンバと、 前記チャンバに連結された処理ガス源と、 最低でも約1トールの前記チャンバのガス圧力を維持するポンプと、 前記ターゲットに連結された電源とを有する装置。

IPC (3件)：

C23C14/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

FI (3件)：

C23C14/34 M ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 D

Fターム (14件)：

4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DA06 ,  4K029DA10 ,  4K029DC28 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  5F045AA19 ,  5F045AB31 ,  5F045AE21 ,  5F045BB19 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開昭63-004062
  
• バイアススパッタによる薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-165722   出願人：日電アネルバ株式会社
• 特開昭63-004062
  
• 結晶学的に配向されたライナー層を利用した、狭いアパーチャに対する金属の充填及び相互接続の形成
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-208643   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 改良型誘導結合プラズマ源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-312572   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマの発生及びスパッタのためのコイル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-155665   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特開昭61-190070