特許

J-GLOBAL ID：200903076834309426

シリコン系薄膜の作製方法、及びシリコン系薄膜

発明者： 白井 肇
出願人/特許権者： 埼玉大学長
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-004214
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197581
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】プラズマCVD法において、欠陥密度の少ない高品質なシリコン系薄膜を形成する。【解決手段】所定の基材を塩素系シランガスを含む雰囲気中に配置する。次いで、前記雰囲気に高周波などを印加することによりプラズマ化し、前記基材上に、プラズマCVD法によりシリコン系薄膜を形成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

所定の基材を塩素系シランガスを含む雰囲気中に配置する工程と、 前記基材上に、プラズマCVD法によりシリコン系薄膜を形成する工程と、 を具えることを特徴とする、シリコン系薄膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04 B

Fターム (26件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045EB11 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA07 ,  5F051CA15 ,  5F051FA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 非晶質半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-083765   出願人：株式会社トクヤマ
• 太陽電池用シリコン膜、シリコン太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-392603   出願人：三菱重工業株式会社
• 多結晶シリコン膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-208769   出願人：株式会社トクヤマ
• 多結晶シリコン薄膜及び光電変換素子並びにこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-245035   出願人：株式会社トクヤマ