特許

J-GLOBAL ID：200903076835079637

表面分析装置及び表面分析方法

発明者： 戸名 正英 ,  大谷 俊介 ,  櫻井 誠
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  国立大学法人電気通信大学 ,  国立大学法人神戸大学
代理人 (3件)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也 ,  小川 耕太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-101984
公開番号（公開出願番号）：特開2009-250903
出願日： 2008年04月09日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】多価イオンを用いて、試料表面の分析を高精度で短時間に行うことができる表面分析装置を提供する。【解決手段】表面分析装置1は、試料5を搭載する試料台6と、試料台6に搭載した試料5に価数が15以上の多価イオンビーム4を照射する多価イオン発生源3と、試料5に多価イオンビーム4を照射することにより生じる二次イオン7を検出する質量分析部8と、試料5に多価イオンビーム4を照射することにより生じる二次電子9を検出する二次電子検出部10と、二次電子検出部10からの二次電子検出信号を受け分析開始信号を生成し質量分析部へ送信する質量分析制御部12を、備えて構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

試料を搭載する試料台と、 上記試料台に搭載された試料に価数が15以上の多価イオンビームを照射する多価イオン発生源と、 上記試料に多価イオンビームが照射されることにより生じる二次イオンを検出する質量分析部と、 上記試料に多価イオンビームが照射されることにより生じる二次電子を検出する二次電子検出部と、 上記二次電子検出部からの二次電子検出信号を受けて分析開始信号を生成し上記質量分析部へ送信する質量分析制御部を、備えた、表面分析装置。

IPC (4件)：

G01N 27/62 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/252

FI (4件)：

G01N27/62 G ,  G01N23/225 ,  H01J37/244 ,  H01J37/252 B

Fターム (37件)：

2G001AA05 ,  2G001AA20 ,  2G001BA07 ,  2G001BA15 ,  2G001CA03 ,  2G001CA05 ,  2G001CA10 ,  2G001DA01 ,  2G001DA06 ,  2G001KA01 ,  2G001KA13 ,  2G001NA01 ,  2G001NA03 ,  2G001NA07 ,  2G001NA15 ,  2G001PA07 ,  2G001PA11 ,  2G001PA14 ,  2G001RA03 ,  2G041CA01 ,  2G041DA13 ,  2G041DA16 ,  2G041DA20 ,  2G041FA02 ,  2G041GA02 ,  2G041GA06 ,  2G041GA13 ,  2G041GA16 ,  2G041GA22 ,  2G041GA29 ,  5C033NN01 ,  5C033NP06 ,  5C033NP08 ,  5C033QQ02 ,  5C033QQ09 ,  5C033QQ11 ,  5C033QQ15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-184255
  
• 時間分解測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-179775   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 飛行時間型二次イオン質量分析法による有機膜の組成分析方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-191354   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• "Some characteristics in the interaction of slow highly charged Iq+ ions with a Si(111) 1×1-H surfa
• "Toward over unity proton sputtering yields from a hydrogen-terminated Si(111) 1×1 surface irradiat