特許
J-GLOBAL ID：200903076847101980

0.5および0.5以下のULSI回路用の中間レベル誘電体内要素としての水素シルシクイオクサンをベースとした流動性酸化物

発明者：
バイロン ティー.アールバーン

バイロン ティー.アールバーン について

, 
トーマス アール.シーハ

トーマス アール.シーハ について


出願人/特許権者：
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド

テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330694
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255834
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【課題】 より少ない処理工程で、先行技術より低い誘電率を有するプレーナ形誘電体層を中間接続パターン上に形成する。【解決手段】 (イ)電気的中間接続パターンをその上に有する基板を提供し、(ロ)前記中間接続パターン上に誘電体の第1の層を形成し、(ハ)前記第1の誘電体層上に前記第1の層とは異なる第2のケイ素含有誘電体層を、無機ケイ素含有組成から形成し、そして(ニ)前記第2の誘電体層上に、前記第2の層とは異なる第3の誘電体層を形成する段階を含む、中間接続パターン上にプレーナ形誘電体層を形成する方法。
請求項（抜粋）：
中間接続パターン上にプレーナ形誘電体層を形成する方法であって、(イ)電気的中間接続パターンをその上に有する基板を提供し、(ロ)前記中間接続パターン上に誘電体の第1の層を形成し、(ハ)前記第1の誘電体層上に前記第1の層とは異なる第2のケイ素含有誘電体層を、無機ケイ素含有組成から形成し、そして(ニ)前記第2の誘電体層上に、前記第2の層とは異なる第3の誘電体層を形成する段階を含む前記の方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 V
引用特許：
審査官引用 (7件)
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