特許

J-GLOBAL ID：200903076928235264

キャッシュ読み出し動作を実行する装置およびその方法

発明者： 李 眞▲ユブ▼ ,  黄 相元
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096140
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285313
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】読み出し動作にかかる時間を縮めさせることができる不揮発性メモリ装置およびそれを含んだメモリシステムを提供する。【解決手段】半導体装置からM(Mは2より大きい整数)データを読み出す方法において、不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第1データを伝送する段階と、ページバッファから第1バッファ対に前記第1データを同時に伝送し、不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第2データを伝送する段階と、前記第1バッファ対からホストに前記第1データを同時に伝送し、ページバッファから第2バッファ対に前記第2データを伝送し、そして不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第3データを伝送する段階とを含む。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体装置からM(Mは2より大きい整数)データを読み出す方法において、 不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第1データを伝送する段階と、 ページバッファから第1バッファ対に前記第1データを同時に伝送し、不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第2データを伝送する段階と、 前記第1バッファ対からホストに前記第1データを同時に伝送し、ページバッファから第2バッファ対に前記第2データを伝送し、そして不揮発性メモリのセルアレイからページバッファに第3データを伝送する段階とを含むことを特徴とする読み出し方法。

IPC (4件)：

G11C16/02 ,  G06F12/00 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

FI (6件)：

G11C17/00 613 ,  G06F12/00 560B ,  G06F12/00 597U ,  G11C17/00 601T ,  G11C17/00 634G ,  G11C17/00 622E

Fターム (11件)：

5B060CB01 ,  5B125BA02 ,  5B125CA01 ,  5B125DA03 ,  5B125DE01 ,  5B125DE17 ,  5B125EA05 ,  5B125EF03 ,  5B125EF06 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-227670   出願人：株式会社東芝
• コンバインの揺動選別装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-345885   出願人：ヤンマー農機株式会社, セイレイ工業株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305300   出願人：株式会社東芝
• 韓国公開公報第2003-0033679号
  

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-051597   出願人：ソニー株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-311475   出願人：株式会社東芝
• インターリーブ・リード及びプログラム・ケーパビリティを有する改良された集積回路記憶装置、及びその操作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-323852   出願人：インテグレイテッドメモリーテクノロジーズインコーポレイテッド