特許
J-GLOBAL ID：200903076985879666

プラズマ処理方法

発明者：
吹上 紀明

吹上 紀明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316589
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135494
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 CF膜を半導体デバイスの層間絶縁膜として用いようとすると、タングステンの配線を形成するときに例えば400°C〜450°C付近にまでCF膜が加熱され、このときにF系のガスがCF膜から抜け、配線の腐食や膜減りに伴う種々の不都合が生じるので、これを抑えるために熱安定性を高めること。【解決手段】 CとFの化合物ガス例えばC4 F8 ガスと、炭化水素ガス例えばC2 H4 ガスとを成膜ガスとして用い、これらガスをプラズマ化して、その活性種により半導体ウエハ10上にCF膜を成膜する。次いで水素プラズマ生成用ガス例えばH2 ガスを導入してプラズマ化し、Hのプラズマをウエハ10に形成されたCF膜上に照射する。Hのプラズマの照射により、CF膜中に存在する未反応のFや弱い結合が除去されるので、結合が強固となり、高温下でも結合が切れにくくなって、熱安定性が向上する。
請求項（抜粋）：
水素プラズマ生成用ガスをプラズマ化して、水素のプラズマを被処理基板上に形成されたフッ素添加カ-ボン膜に照射することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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