半導体装置の製造方法および製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082450
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279481
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】静電気ダメージの低減およびダストの付着を防止、製造歩留りを向上できる半導体装置の製造方法および製造装置を提供すること。【構成】本発明は、ガラス系基板に素子を形成した後、所定の洗浄を行うにあたり、純水にわずかな炭酸ガスおよびアルコールを混入させた洗浄液を用いて純水洗浄S101、S102を行うもので、ガラス系基板をダイシングする際、純水に炭酸ガスを混入させた切削液を常に流しておいたり、純水にわずかな炭酸ガスおよびアルコールを混入させた切削液を流しておく半導体装置の製造方法および製造装置である。また能動素子およびフィルタ層形成、配向膜形成およびラビング処理を基板状態で行い、ダイシング後、良品同士のチップ状態で重ね合わせる製造方法でもある。

請求項（抜粋）：

Si、GaAs、ガラス系基板に素子を形成した後、所定の洗浄を行うにあたり、純水にわずかな炭酸ガスおよびアルコールを混入させた洗浄液を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , B28D 7/02 , G02F 1/136 , H01L 21/301 , H01L 23/00

FI (6件)：

H01L 21/304 341 L , H01L 21/304 341 M , B28D 7/02 , G02F 1/136 , H01L 23/00 B , H01L 21/78 F

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-053899
液晶表示パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-232854 出願人：富士通株式会社
液晶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-176847 出願人：カシオ計算機株式会社

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