パターン形成方法、および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-347710
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159892
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】微細化への対応が可能で、かつプラズマダメージが生じにくいパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】パターン形成方法は、被処理体上に第1の線幅を有する初期パターンが形成されたシリコン表面を、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマ酸化処理し、初期パターンの表面にシリコン酸化膜を形成する表面酸化工程と、シリコン酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、を繰り返し行なうことにより、被処理体上に、第1の線幅に比べ微細な第2の線幅を持つ目的のパターンを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理体上に第1の線幅を有する初期パターンが形成されたシリコン表面を、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマ酸化処理し、前記初期パターンの表面にシリコン酸化膜を形成する表面酸化工程と、前記シリコン酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、を繰り返し行なうことにより、被処理体上に、前記第1の線幅に比べ微細な第2の線幅を持つ目的のパターンを形成することを特徴とする、パターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/316 , H01L 21/306 , H01L 21/31

FI (6件)：

H01L29/78 627C , H01L21/316 A , H01L21/306 D , H01L21/31 A , H01L21/302 105B , H01L29/78 618C

Fターム (46件)：

5F004BA04 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004DA00 , 5F004DA17 , 5F004DA20 , 5F004DB03 , 5F004EA10 , 5F004EB08 , 5F004FA01 , 5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043FF01 , 5F043GG10 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AF03 , 5F045CA05 , 5F045DP03 , 5F045EH02 , 5F045EH17 , 5F045HA03 , 5F045HA04 , 5F045HA13 , 5F045HA14 , 5F058BC02 , 5F058BE03 , 5F058BE04 , 5F058BF72 , 5F058BH12 , 5F058BH13 , 5F110AA30 , 5F110CC10 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110EE22 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF25 , 5F110GG02 , 5F110GG22 , 5F110GG44 , 5F110QQ01 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-367285 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
歪みFinFETCMOSデバイス構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-555236 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-117824 出願人：日本電装株式会社

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審査官引用 (4件)

歪みFinFETCMOSデバイス構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-555236 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-117824 出願人：日本電装株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-153912 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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