特許

J-GLOBAL ID：200903077156480914

集積回路構造の銅金属被覆上の一以上の低比誘電率絶縁層に形成される開口部のためのプラズマ洗浄方法

発明者： ジョー・ダブリュー・ザオー ,  ウェイ-ジン・シャー ,  ウィルバー・ジー・キャタベイ
出願人/特許権者： エルエスアイ ロジック コーポレーション
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078991
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332112
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 集積回路構造の銅金属相互接続層上の低比誘電率絶縁材料の一以上の層において形成される一以上の開口部からエッチング残留物を除去するための方法を提供する。【解決手段】 本方法は、異方性水素プラズマを提供して、プラズマ中のイオンと、露出した銅表面上の酸化銅を含む一以上の開口部の底部におけるエッチング残留物との間に化学反応を起こさせ、それによって、銅表面の露出した部分を洗浄して、開口部の底部で銅をスパッタリングすることなくエッチング残留物を除去することを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される集積回路構造の銅金属相互接続層上の低比誘電率絶縁材料の一以上の層において形成される一以上の開口部からエッチング残留物を除去するための、前記一以上の開口部の底部で前記銅相互接続層の表面の露出した部分を洗浄することを含む方法であって、前記方法は、プラズマを提供し、それによって前記エッチング残留物を除去し、前記低比誘電率絶縁材料の前記一以上の層において形成される前記一以上の開口部の側壁に銅を堆積させることなく前記銅表面の前記露出した部分を洗浄する、前記方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 相互接続網の製造における酸化金属面の清浄処理方法及び同接続用ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-178978   出願人：フランセテレコム
• 半導体デバイスの表面に導電性部材を選択的に結合するための方法とシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-370151   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-168707   出願人：株式会社日立製作所
• サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-526963   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド