特許
J-GLOBAL ID：200903077218110574
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046294
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263295
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 レジスト材料の改良を行うことなく、しかも透明カバー膜を用いることなく、化学増幅レジストを露光して酸を発生させた後、表面部分の酸を抜け難くして表面難溶化層を生じ難くすることができ、感度、解像度、レジスト形状及び安定性の劣化を容易に、かつ低コストで抑えることができる。【構成】 レジスト塗布装置2内の雰囲気のアンモニア濃度を1ppb以下にして被処理基板11上にレジスト12を塗布する工程を含む。
請求項（抜粋）：
被処理基板(11)上に塗布した化学増幅レジストの表面に対アルカリ難溶化層が生じない程度にアンモニア濃度を減少せしめた雰囲気中でフォトリソグラフィー工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/16
, G03F 7/20 521
, G03F 7/26
