特許
J-GLOBAL ID:200903077289123693
レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 原田 智雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-109633
公開番号(公開出願番号):特開2005-292613
出願日: 2004年04月02日
公開日(公表日): 2005年10月20日
要約:
【課題】 レジスト膜における解像度(溶解コントラスト)を向上して、良好な形状を持つ微細パターンを得られるようにする。 【解決手段】 基板101の上に酸化チタンを含むレジスト膜102を形成し、続いて、形成したレジスト膜102に波長が400nm以下の光又は電子線からなる露光光103をマスク104を介して照射してパターン露光を行なう。その後、パターン露光を行なったレジスト膜102に対して現像を行なうことにより、レジスト膜102aの未露光部からなるレジストパターン102aを形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
酸化チタンを含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (4件):
G03F7/004
, G03F7/039
, G03F7/26
, H01L21/027
FI (4件):
G03F7/004 501
, G03F7/039 601
, G03F7/26 511
, H01L21/30 502R
Fターム (35件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BB00
, 2H025BE00
, 2H025BE01
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025BH03
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB29
, 2H025CC20
, 2H025DA40
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA10
, 2H096BA11
, 2H096CA05
, 2H096EA02
, 2H096EA03
, 2H096EA04
, 2H096EA06
, 2H096EA23
, 2H096GA08
, 2H096HA07
, 2H096KA19
, 2H096LA07
引用特許:
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