半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂高哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374170
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189327
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】ボイドの発生を低減し、ブリードに起因するワイヤーボンド不良をなくし半導体装置を小型化させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 (A)アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、(B)ラジカル開始剤及び(C)充填材を含有する樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材にダイボンドし、ダイボンド後20mJ/cm2以上の紫外線を照射した後、加熱により硬化させる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、(B)ラジカル開始剤及び(C)充填材を含有する樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材にダイボンドし、ダイボンド後20mJ/cm2以上の紫外線を照射した後、加熱により硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/52 G , H01L 21/52 E

Fターム (1件)：

5F047BA33

引用特許：

審査官引用 (9件)

光電装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-129078 出願人：日亜化学工業株式会社
特表平5-505059
特表平5-505059

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