プラズマ装置およびこれを用いたドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196408
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045667
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】プラズマ接触面が石英からなるチャンバ内部材を持つプラズマ装置、あるいは無機材料パターンをマスクを用いてW-ポリサイド膜(ポリシリコン/WSix積層膜)をエッチングする際に、過剰なO* によるWSix膜のサイドエッチングを防止する。【解決手段】メタル汚染防止の目的で側壁電極9の表面が石英製のRF電極カバー12で覆われているトライオード型プラズマ・エッチング装置にCl2 ガスを導入し、オフセットSiOx膜パターンをマスクとしてW-ポリサイド膜をエッチングする。RF電極カバー12からスパッタ放出されるO* は、蒸気圧の高い反応生成物WClxOyを生成させる重要な化学種であるが、過剰分は異方性加工を妨げるので、上部接地電極2を覆うSiC製の接地電極カバー6からスパッタ放出される炭素で捕捉し、COxとして系外へ排気する。

請求項（抜粋）：

基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ励起手段と、前記プラズマ中の活性酸素系化学種を消費可能な化学種を該プラズマ中に供給可能な材料にて少なくともプラズマ接触面が構成された第1のチャンバ内部材とを備えたプラズマ装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 D , C23F 4/00 E

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-086621 出願人：日本電気株式会社
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-115589 出願人：日本電気株式会社
特開平2-155230

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審査官引用 (6件)

半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-086621 出願人：日本電気株式会社
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-115589 出願人：日本電気株式会社
特開平2-155230

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