特許
J-GLOBAL ID：200903077355781753

酸化アンチモン被覆シリカ系微粒子、該微粒子の製造方法および該微粒子を含む被膜付基材

発明者：
村口 良

村口 良 について

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熊沢 光章

熊沢 光章 について

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西田 広泰

西田 広泰 について

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平井 俊晴

平井 俊晴 について


出願人/特許権者：
触媒化成工業株式会社

触媒化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 政久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357113
公開番号（公開出願番号）：特開2005-119909
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 屈折率が低く且つ導電性を有する酸化アンチモン被覆シリカ系微粒子を提供する。【解決手段】 この酸化アンチモン被覆シリカ系微粒子は、多孔質シリカ系微粒子または内部に空洞を有するシリカ系微粒子に酸化アンチモンが被覆されてなる。この酸化アンチモン被覆シリカ系微粒子の屈折率は1.35〜1.60の範囲にあり、体積抵抗値は10〜5000Ω/cmの範囲にあり、平均粒子径は5〜300nmの範囲にあり、酸化アンチモン被覆層の厚さは0.5〜30nmの範囲にある。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリカ系微粒子と酸化アンチモン被覆層とからなる微粒子であって、屈折率が1.35〜1.60の範囲にあり、体積抵抗値が10〜5000Ω/cmの範囲にあることを特徴とする酸化アンチモン被覆シリカ系微粒子。
IPC (4件)：
C01B33/18 ,  B01J13/00 ,  B01J19/00 ,  C01B33/149
FI (4件)：
C01B33/18 C ,  B01J13/00 B ,  B01J19/00 N ,  C01B33/149
Fターム (24件)：
4G065AA01 ,  4G065AA02 ,  4G065AA06 ,  4G065CA11 ,  4G065DA09 ,  4G065EA01 ,  4G065EA03 ,  4G065EA10 ,  4G065FA01 ,  4G072AA28 ,  4G072AA41 ,  4G072BB05 ,  4G072BB15 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH18 ,  4G072JJ26 ,  4G072LL06 ,  4G072QQ09 ,  4G072UU30 ,  4G075AA27 ,  4G075BA06 ,  4G075BB08 ,  4G075CA57
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (10件)
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