特許
J-GLOBAL ID:200903077403809312
酸化剤を含有しない研磨流体を用いる銅CMPにおける第二工程研磨の方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
津国 肇
, 篠田 文雄
, 束田 幸四郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-307623
公開番号(公開出願番号):特開2005-129951
出願日: 2004年10月22日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】酸化剤を含有する研磨流体では、酸化剤が金属層のコロージョンを促進し、ひいては金属層のディッシングを促進する。酸化剤を含有しない、低い砥粒濃度を有する、適切な第二工程研磨流体を見いだす。【解決手段】酸化剤を含有せず、有機酸、砥粒及び場合によっては銅コロージョンインヒビターを含有する、銅CMPにおける第二工程バリヤ除去研磨のための研磨流体は、金属に対するバリヤ及び絶縁層に対するバリヤの高い選択比を示す。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
研磨パッド及び研磨流体を用いる研磨によって半導体ウェーハ上のバリヤ膜を除去する方法であって、研磨流体が、塩基性pHの水溶液中、0.1〜5重量%の範囲の砥粒及び0.5〜10重量%の範囲の有機酸又はその混合物を含み、酸化剤が添加されていないものである方法。
IPC (3件):
H01L21/304
, B24B37/00
, C09K3/14
FI (4件):
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
Fターム (7件):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CB02
, 3C058CB03
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
引用特許:
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