特許
J-GLOBAL ID：200903077415551892
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180138
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007120
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタの熱暴走を有効に抑え、かつ安定した特性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 AlGaAsエミッタ層とエミッタ電極の間にバラスト抵抗層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記バラスト抵抗層はn-Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x<1)で構成され、かつ前記エミッタ層と前記バラスト抵抗層との間にGaAs選択エッチング層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
請求項（抜粋）：
AlGaAsエミッタ層とエミッタ電極の間にバラスト抵抗層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記バラスト抵抗層がn-Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x<1)からなり、前記エミッタ層と前記バラスト抵抗層との間にGaAs選択エッチング層を有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003BA92
, 5F003BC01
, 5F003BE01
, 5F003BE05
, 5F003BF06
, 5F003BH08
, 5F003BH99
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP96
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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