特許
J-GLOBAL ID：200903077453875910

ウエハエッジの鏡面研磨方法及び装置

発明者：
箱 守 駿 二

箱 守 駿 二 について


出願人/特許権者：
スピードファム株式会社

スピードファム株式会社 について


代理人 (1件)： 林 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159261
公開番号（公開出願番号）：特開平10-328989
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【課題】 エッジの研磨加工時にウエハが占める平面的スペースを小さくして装置の小形化を図る。【解決手段】 面取りした外周エッジ1aを表裏両面に有する円板形のウエハ1を、鉛直に保持して水平軸線L1の回りに回転させると共に、研磨のための作業面31を外周に備えた2つの円筒形の研磨ドラム30a,30bを、ウエハ1の表裏面のエッジ1a,1aに沿う方向に傾斜させてそれぞれの軸線L30 の回りに回転させながら、上記ウエハ1の表裏面のエッジ1a,1aを2つの研磨ドラム30a,30bの作業面31,31に個別に且つ同時に接触させて研磨する。
請求項（抜粋）：
面取りした外周エッジを有する円板形ウエハを、鉛直に保持して水平軸線の回りに所要の速度で回転させながら、上記エッジを回転する作業面に接触させて鏡面研磨することを特徴とするウエハエッジの鏡面研磨方法。
IPC (2件)：
B24B 9/00 601 ,  H01L 21/304 321
FI (2件)：
B24B 9/00 601 H ,  H01L 21/304 321 E
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 特開平2-303759
  • 特開平2-303759
  • 半導体円板のエッジを研磨する方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-189009   出願人：ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
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