特許
J-GLOBAL ID：200903077503093705

SOI基板の製造方法

発明者：
中嶋 健

中嶋 健 について

, 
中井 哲弥

中井 哲弥 について

, 
冨澤 憲治

冨澤 憲治 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111596
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307471
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 水素イオン注入技術を用いて作製される半導体層が酸化膜を介して半導体基板上に重ね合わされているSOI基板において、大きなゲッタリング能力を有し半導体層を重金属不純物で汚染させない。【解決手段】 p型の第1シリコン基板11の表面に酸化膜12を形成する。第1基板の表面から水素イオンを注入して基板内部に水素イオン注入領域11aを形成する。支持基板となるp型の第2シリコン基板13の片面にp+型又はp++型のポリシリコン層14を形成する。ポリシリコン層14上にp-型のポリシリコン層16を形成し研磨する。酸化膜にこのポリシリコン層16が密着するように第1基板に第2基板を重ね合わせて密着させる。第1基板を第2基板に密着させたまま熱処理して第1基板を水素イオン注入領域11aで第2基板から分離して第2基板の表面にシリコン層11bを形成する。第2基板を更に熱処理する。
請求項（抜粋）：
p型の第1シリコン基板(11)の表面に酸化膜(12)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)の表面から水素イオンを注入して前記第1シリコン基板(11)内部に水素イオン注入領域(11a)を形成する工程と、支持基板となるp型の第2シリコン基板(13)の片面にp+型又はp++型のポリシリコン層(14)を形成する工程と、前記第2シリコン基板(13)のp+型又はp++型のポリシリコン層(14)上にp-型のポリシリコン層(16)を形成する工程と、前記p-型のポリシリコン層(16)鏡面研磨する工程と、前記酸化膜(12)に鏡面研磨した前記p-型のポリシリコン層(16)が密着するように前記第1シリコン基板(11)に前記第2シリコン基板(13)を重ね合わせて密着させる工程と、前記第1シリコン基板(11)を第2シリコン基板(13)に密着させたまま所定の温度で熱処理して前記第1シリコン基板(11)を前記水素イオン注入領域(11a)で前記第2シリコン基板(13)から分離して前記第2シリコン基板(13)の表面にシリコン層(11b)を形成する工程と、表面にシリコン層(11b)を有する前記第2シリコン基板(13)を更に熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12
FI (5件)：
H01L 21/265 Q ,  H01L 21/322 P ,  H01L 21/322 G ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/76 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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