金属内包フラーレン伝導材料及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光田敦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-078938
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254195
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】金属内包フラーレンのアダマンタン修飾誘導体から液-液界面析出法により、n型及びp型の両極性のFET特性を有する金属内包フラーレンナノロッドを製造する金属内包フラーレンナノロッド及びその製造方法を実現する。【解決手段】金属内包フラーレンアダマンタン修飾誘導体であるLa@C82アダマンタン修飾誘導体又はCe@C82アダマンタン修飾誘導体をCS2溶液に混合し容器内に入れて、このCS2溶液にヘキサンを徐々に加え、CS2層とヘキサン層が交じり合わないようにしてから、遮光下0°Cで静置することによって、CS2層とヘキサン層の界面に単結晶の金属内包フラーレンアダマンタン修飾誘導体ナノロッドを製造する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

複数の金属内包フラーレンが規則正しく配列された集合体から成り、pn両極性を発現することを特徴とする伝導材料。

IPC (7件)：

C01B 31/02 , H01L 21/28 , H01L 29/06 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (7件)：

C01B31/02 101F , H01L21/28 301B , H01L29/06 601N , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E

Fターム (30件)：

4G146AA29 , 4G146AA30 , 4G146AC01A , 4G146AC01B , 4G146AD22 , 4G146BA04 , 4G146BB15 , 4G146CB35 , 4M104AA10 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104GG09 , 5F110AA16 , 5F110BB13 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG05 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02

引用特許：

出願人引用 (2件)

磁気スイッチング材料および素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-187851 出願人：三井化学株式会社, 独立行政法人科学技術振興機構
磁気共鳴造影剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-285395 出願人：大塚製薬株式会社

審査官引用 (7件)

分光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-025561 出願人：日本電信電話株式会社
分光結晶
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-326630 出願人：三菱電機株式会社
フラーレン誘導体細線とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-348667 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, 増野匡彦

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