特許
J-GLOBAL ID：200903009882145843

La2@C80フラーレン・酸素結合薄膜及びそれを用いた電界効果トランジスタ

発明者：
小林 慎一郎

小林 慎一郎 について

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岩佐 義宏

岩佐 義宏 について

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篠原 久典

篠原 久典 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-325271
公開番号（公開出願番号）：特開2005-089249
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 酸素の結合によって、導電型がn型からp型に変化するLa2 @C80フラーレン薄膜を提供する。またこの薄膜を用いたn型電界効果トランジスタ及びp型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極2として導電性の高いp++Si基板を用い、p++Si基板の表面を酸化して絶縁膜3とし、絶縁膜3上にTiとAuからなるドレイン電極3及びソース電極4を形成し、10-8Torr以下の超高真空中で、ドレイン電極4及びソース電極5が形成された絶縁膜3上にLa2 @C80を、昇華温度で真空蒸着することによってLa2 @C80フラーレン薄膜6を半導体層としたn型電界効果トランジスタを作製する。La2 @C80ラーレン薄膜6を酸素と結合させてp型電界効果トランジスタを作製する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
La2 @C80フラーレンからなる薄膜であり、 この薄膜に酸素を結合させることによって、導電性がn型導電性からp型導電性に変化することを特徴とする、La2 @C80フラーレン薄膜。
IPC (4件)：
C01B31/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (5件)：
C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28
Fターム (29件)：
4G146AA30 ,  4G146AB07 ,  4G146AD30 ,  4G146BB23 ,  4G146BC10 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG55 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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