半導体ウエーハの研磨装置および研磨方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-109008
公開番号（公開出願番号）：特開平10-296618
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエーハ研磨用の化学機械的研磨(CMP)機械および方法を提供すること。【解決手段】少なくとも1台の研磨装置(1)に、垂直に配向され回転可能にされている研磨パッド(60)の研磨面と、スラリ供給機構(20)を具備する。半導体ウエーハがホルダ/カセットからウエーハ・キャリア(40)によって受け取られ、研磨パッド(60)の研磨域(2)に平行に、接触させて保持できるようにされる。研磨パッド(60)を洗浄/コンディショニングするためにスプリング(31)を装着したコンディショニング・モジュール(30)を研磨域(2)の後に続く区域に設けることができる。この図の実施例では、スラリ・コンジット(24)から出口(26)を介して滴下され、スクイージ(22)によって均一に広げられる。製造フロア上における機械の据付面積が大幅に減少し、研磨装置への汚染物質の付着防止が促進できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの研磨面の研磨域にある半導体ウエーハを研磨するための、ほぼ垂直に配向された研磨面を有する少なくとも1個の研磨装置と、垂直に配向された研磨面のそれぞれにスラリを供給するスラリ供給機構とを具備する装置。

IPC (4件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (4件)：

B24B 37/00 K , H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 E , H01L 21/304 622 G

引用特許：

審査官引用 (9件)

縦型ウエハ研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-054660 出願人：株式会社東京精密
ポリッシング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-297821 出願人：株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
特開平2-199834

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