回路の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-262152
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117009
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】層の界面における泡の発生を防ぐ構造を有するセンサデバイスの形成方法を提供する。【解決手段】感知エレメント及び薄膜トランジスタ252を有するセンサデバイスを製造する際、半導体チャネルリード260、262が形成される半導体層は微結晶シリコン(μc-Si)を含むように製造される。μc-Siは、ひき続いてシリコンベース層に感知エレメントを製造する際に半導体層の上面及び下面における泡の発生を防ぐ。μc-Si層は、泡の発生を防ぐのに十分量の少ない水素を有して付着されるか、泡の発生を防ぐのに十分な速度で水素が消散できるような結晶粒子構造を有して付着されるか、あるいはこの層の界面が泡の発生を防ぐのに十分な安定性を有して形成されることが可能である。

請求項（抜粋）：

基板の表面に回路を形成する方法であって、ゲートリードを形成するステップを含み、前記ゲートリードの上に第1の絶縁層を付着するステップを含み、真性微結晶シリコンを含み、下面及び上面を有する第1の半導体層を前記第1の絶縁層の上に付着するステップを含み、前記第1の半導体層の上に第2の絶縁層を付着し、前記第2の絶縁層をパターン形成して前記第1の半導体層のチャネル領域の上に絶縁アイランドを形成するステップを含み、前記チャネル領域は前記第1の半導体層の第1の接続領域と第2の接続領域との間を伸び、前記第1及び第2の接続領域は前記絶縁アイランドに隣接し、前記第2の絶縁層をパターン形成する動作によって露光され、前記絶縁アイランドをマスクとして使用して前記第1の半導体層の露光部分をドープし、前記第1及び第2の接続領域にすぐ隣接する第1及び第2の導電領域を形成するステップを含み、前記絶縁アイランド及び前記第1の半導体層の露光部分の上に導電性金属層を付着するステップを含み、シリコンベースの材料を含む第2の半導体層を前記導電性金属層の上に付着するステップを含み、前記第2の半導体層をパターン形成して感知エレメントを形成するステップを含み、前記導電性金属層は、前記第2の半導体層をパターン形成する動作によって前記絶縁アイランド並びに前記第1及び第2の接続領域の上で露光され、前記導電性金属層並びに前記第1の半導体層の前記第1及び第2の導電領域をパターン形成して、前記第1の半導体層の前記チャネル領域にチャネルが形成された薄膜トランジスタの第1及び第2のチャネルリードを形成するステップを含み、前記第1及び第2のチャネルリードは前記第1の半導体層に第1及び第2の半導体リードをそれぞれ含み、前記第1の半導体リードは前記第1の接続領域と電気接触しており、前記第2の半導体リードは前記第2の接続領域と電気接触しており、前記第1のチャネルリードは前記感知エレメントから前記導電性金属層を介して信号を受け取るように電気接続されており、前記薄膜トランジスタは前記感知エレメントから受け取った信号を前記第2のチャネルリードに提供することによって前記ゲートリードからの信号に応答し、前記第2の半導体層の付着及びパターン形成の動作の際に前記第1の半導体層の下面及び上面において泡の発生を防ぐ構造を前記第1の半導体層が有するように行われる、回路の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 31/09 , G01T 1/24 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 31/00 A , G01T 1/24 , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 625

引用特許：

審査官引用 (12件)

固体撮像素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-017270 出願人：シャープ株式会社
特開昭63-241560
特開平3-185840

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