特許
J-GLOBAL ID:200903077933798265
固体撮像素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野田 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-058502
公開番号(公開出願番号):特開2003-258231
出願日: 2002年03月05日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 光電変換素子の開口率への影響を最小限に抑えつつ、例えば転送ゲート部のポテンシャルを有効に制御して転送残りをなくす。【解決手段】 フォトダイオード110とFD部112は、転送ゲート部114を介して並列に配置され、転送ゲート部114の上部には、転送電極114Aが配置されている。この転送電極114Aは、本体部114A1と拡張部114A2とを有し、ゲート長方向に拡大したものとなっている。このように転送電極114Aに部分的な拡張部114A2を設けることにより、フォトダイオード110の受光部の面積の減少量を少なく(開口率を大きく)しつつ、転送電極114Aの変調度を大きくすることが可能である。この結果、転送残りを起き難くし、完全転送に適した固体撮像素子を構成できる。
請求項(抜粋):
半導体基板に複数の画素よりなる撮像領域を有し、前記複数の画素が、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷の読み出し回路を構成する少なくとも1つ以上のトランジスタとを有して構成された固体撮像装置において、前記少なくとも1つ以上のトランジスタのうちの少なくとも1つのトランジスタのゲート部がゲート長方向に複数の幅を有する帯状部を有して構成される、ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件):
FI (3件):
H04N 5/335 P
, H04N 5/335 U
, H01L 27/14 A
Fターム (17件):
4M118AA03
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA07
, 4M118CA20
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 5C024CX17
, 5C024GX03
, 5C024GY18
, 5C024GY31
, 5C024HX40
引用特許:
審査官引用 (8件)
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-070892
出願人:株式会社東芝
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-255905
出願人:ソニー株式会社
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アクティブ画素センサ-
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-000074
出願人:イーストマンコダックカンパニー
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-074392
出願人:ソニー株式会社
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光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-200711
出願人:キヤノン株式会社
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-323975
出願人:日本電気株式会社
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電磁放射の検出器およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-380105
出願人:フィルファクトリー・ナムローゼ・フエンノートシャップ
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-381928
出願人:株式会社東芝
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