特許
J-GLOBAL ID：200903077934407073

半導体装置およびその製造方法

発明者：
本間 荘一

本間 荘一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298253
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100811
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子が配線基板に金属バンプを介して接続された半導体装置において、接続強度を高め信頼性を向上させる。【解決手段】 本発明の半導体装置では、半導体チップ3の電極パッド4と配線基板1の配線パッド2とを接続するはんだバンプ5の外周に、第1の樹脂層6が形成され、この第1の樹脂層6がはんだバンプ1と配線基板1との間にフィレットを有している。そして、このようなバンプ接合および第1の樹脂層6の形成は、半導体チップ3のはんだバンプ5の外周に、スキージング方式などによりフラックス成分含有樹脂の層を形成した後、はんだバンプ5と配線基板1の配線パッド2とを位置合わせし仮固定し、加熱して接合することにより行われる。次いで、フラックス成分含有樹脂層を硬化させることにより、フィレット状の第1の樹脂層6が形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の少なくとも一方の主面に配線層が形成された配線基板と、前記配線基板の配線層形成面上にフェースダウンに搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極端子上に形成された金属バンプとを備え、前記半導体素子の電極端子と前記配線基板の配線層とが、前記金属バンプを介して接合されており、かつ前記金属バンプと前記配線基板との間に、第1の樹脂層のフィレットが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/30 B
Fターム (12件)：
4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA05 ,  4M109CA10 ,  4M109ED01 ,  4M109ED10 ,  5F044KK19 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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