特許

J-GLOBAL ID：200903077954218072

結晶質シリコン内在SiOx成形体の製造方法とその用途

発明者： 野崎 真次 ,  内田 和男 ,  森崎 弘 ,  川崎 卓 ,  伊吹山 正浩
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-280053
公開番号（公開出願番号）：特開2006-089356
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】ナノメートルオーダーの結晶質シリコン粒子を提供すること、そしてこれを半導体素子として利用できるようにすること。【解決手段】粒径0.5〜5nmの非晶質シリコン粒子を内在するSiOx(Xは0.5以上2.0未満)粒子に、光、好ましくはレーザー光、を照射して、粒径1〜10nmの結晶質シリコン粒子を内在するSiOx(Xは0.5以上2.0未満)粒子とすることを特徴とするSiOx粒子の製造方法であり、好ましくは、粒径0.5〜5nmの非晶質シリコン粒子を内在するSiOx(Xは0.5以上2.0未満)粒子が、モノシランガスとモノシランガスを酸化するための酸化性ガスとを、圧力10〜1000kPa、温度500〜1000°Cの条件下で反応して得たものであることを特徴とする前記のSiOx粒子の製造方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

粒径0.5〜5nmの非晶質シリコン粒子を内在するSiOx(Xは0.5以上2.0未満)粒子に、光を照射して、粒径1〜10nmの結晶質シリコン粒子を内在するSiOx(Xは0.5以上2.0未満)粒子とすることを特徴とするSiOx粒子の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/18 ,  C01B 33/113

FI (2件)：

C01B33/18 E ,  C01B33/113 Z

Fターム (16件)：

4G072AA24 ,  4G072AA25 ,  4G072AA29 ,  4G072BB05 ,  4G072BB10 ,  4G072DD07 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH04 ,  4G072JJ03 ,  4G072LL02 ,  4G072MM01 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR26 ,  4G072TT01 ,  4G072UU01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 結晶質珪素超微粒子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-227188   出願人：宇部興産株式会社
• 光電子材料及び応用素子、並びに光電子材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-064783   出願人：松下技研株式会社
• 短チャネルスイッチング素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265680   出願人：科学技術振興事業団
• 薄膜半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-376561   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Morphology, photoluminescence and electronic structure in oxidized silicon nanoclusters

審査官引用 (1件)

• Morphology, photoluminescence and electronic structure in oxidized silicon nanoclusters