特許

J-GLOBAL ID：200903081366817889

短チャネルスイッチング素子及びその製造方法

発明者： 小田 俊理 ,  西口 克彦
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265680
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076358
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 短チャネル効果の生じない動作原理に基づく、短チャネルスイッチング素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 短チャネルスイッチング素子は、絶縁層11の上に、長さ20nmの微小間隙12を形成するように、互いに対向して形成されたソース13及びドレイン14と、この微小間隙12内に堆積されたチャネルを構成する粒径10nm以下の多数のシリコン量子ドット15と、ソース,ドレイン及び微小間隙の上に形成された第二の絶縁層16と、第二の絶縁層の上に、微小間隙に対応する領域に形成されたゲート17と、から構成される。

請求項（抜粋）：

第一の絶縁層上に、微小間隙を形成して互いに対向したソース及びドレインと、上記微小間隙内のチャネルを構成するシリコン量子ドットと、上記ソース、ドレイン及び微小間隙の上に形成された第二の絶縁層と、この第二の絶縁層の上に、上記微小間隙に対応する領域に形成したゲートと、から成ることを特徴とする、短チャネルスイッチング素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (17件)：

5F110AA04 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG16 ,  5F110GG28 ,  5F110GG39 ,  5F110GG60 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK39 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 結晶粒の形成方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198153   出願人：株式会社日立製作所
• マイクロ電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021164   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-007419   出願人：株式会社日立製作所
• 微細構造素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-239576   出願人：株式会社東芝