特許
J-GLOBAL ID：200903002296735572
熱処理装置および熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-269757
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099758
出願日： 2007年10月17日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】回復および活性化の双方を行うことができ、しかも基板の割れを防止することができる熱処理技術を提供する。【解決手段】予備加熱温度T1に予備加熱されている半導体ウェハーに時刻Aにてフラッシュランプから光照射を行う。フラッシュランプの発光によって半導体ウェハーの表面温度を回復温度T2に時間t2(10ミリ秒〜100ミリ秒)維持し、シリコン結晶中に導入された欠陥の回復を実行する。続いて、フラッシュランプからの閃光照射によって半導体ウェハーの表面温度を処理温度T3にまで到達させ、不純物の活性化を実行する。また、一旦半導体ウェハーの表面温度を回復温度T2にまで昇温してから閃光照射によって処理温度T3にまで昇温することにより、半導体ウェハーWの割れをも防止することができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射するフラッシュランプと、
1以上のパルスを含むパルス信号を発生するパルス信号発生手段と、
前記パルス信号発生手段が発生するパルス信号の波形を設定する波形設定手段と、
を備え、
コンデンサと、コイルと、前記フラッシュランプと、スイッチング素子とを直列に接続し、
前記フラッシュランプを発光させる際に、前記パルス信号発生手段が前記スイッチング素子にパルス信号を出力することによって前記スイッチング素子の駆動を制御し、
前記波形設定手段は、前記フラッシュランプの発光によって前記基板保持手段に保持された基板の表面温度が回復が生じる第1の温度域に所定時間維持された後、前記フラッシュランプからの閃光照射によって前記基板の表面温度が前記第1の温度域よりも高温で活性化が生じる第2の温度に到達する波形を設定することを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/26 J
, H01L21/26 T
, H01L21/265 602B
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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