特許
J-GLOBAL ID：200903078031243895

半導体装置の金属導電膜の製造方法

発明者：
ジョン ホー ユン

ジョン ホー ユン について

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スン ゴン ジン

スン ゴン ジン について

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ク ヤン キム

ク ヤン キム について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147281
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031658
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 本発明はコンタクトホールの底面と側壁面の段差被覆性を向上させて半導体装置の金属配線の断線による不良の発生を防止して経済的な利益を得ることができる半導体装置の金属導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の金属導電膜を形成する方法は、コンタクトホールなどに残留する自然酸化膜をRFプラズマエッチング法で除去する段階と、コンタクトホールに層間絶縁膜との接合性を向上させるための金属接合層20を積層する段階と、コンタクトホールの内部に段差被覆性を向上させるため低圧で第1金属膜22を積層する段階と、第1金属膜22の上面に更に第2金属膜24を所定の厚さで積層する段階とを含めており、その結果、平坦な金属導電膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階と、前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階と、前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階と、前記金属接合層の上面に第1金属層を形成する段階と、前記第1金属層上に第2金属層を形成する段階と、前記第2金属層の上面に反射防止膜を積層した後、マスキングエッチングでパターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体装置の金属導電膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 105 A
Fターム (42件)：
5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ88 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033XX02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX34
引用特許：
審査官引用 (5件)
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