特許
J-GLOBAL ID：200903078063403207

放電灯装置

発明者：
山本 昇

山本 昇 について

, 
川北 晴夫

川北 晴夫 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217890
公開番号（公開出願番号）：特開2001-043985
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体スイッチング素子が形成されたチップの温度上昇を防げ、かつ小型化できるようにする。【解決手段】 IGBTをHブリッジ状に接続してHブリッジ回路61を構成する。そして、IGBTが形成されたシリコンチップ105が、直接HIC基板102に実装されるようにし、さらに、HIC基板102が放熱用の金属ベースに固定されるようにする。このように、IGBTを用いることでMOSトランジスタよりも温度上昇を少なくできる。このため、半導体スイッチング素子の温度上昇によって、半導体の使用最高温度を超えてしまわないようにでき、熱的に信頼性を得ることができる。さらに、IGBTが形成されたシリコンチップ105を直接HIC基板102に接続することにより、ヒートシンク部材等を介してシリコンチップをHIC基板に接続する場合と比べて、放電灯装置の小型化を図ることもできる。
請求項（抜粋）：
Hブリッジ回路(61)を含むインバータ回路(6)を備え、該インバータ回路により直流電源(1)からの電圧を交流電圧に変換し放電灯(2)に印加することにより、前記放電灯を交流点灯させてなる放電灯装置において、前記Hブリッジ回路は、半導体チップ(105)上に形成されたIGBTをHブリッジ状に接続することによって構成されており、該IGBTが形成された半導体チップは、直接ハイブリッドIC基板(102)に実装され、該ハイブリッドIC基板を介して放熱用の金属ベース(101)に固定されていることを特徴とする放電灯装置。
IPC (3件)：
H05B 41/16 ,  H05B 41/02 ,  H05B 41/24
FI (3件)：
H05B 41/16 X ,  H05B 41/02 Z ,  H05B 41/24 K
Fターム (29件)：
3K072AA11 ,  3K072AC01 ,  3K072BA05 ,  3K072BB01 ,  3K072BB10 ,  3K072DD08 ,  3K072EB05 ,  3K072EB07 ,  3K072GA01 ,  3K072GB18 ,  3K072GC04 ,  3K072HA10 ,  3K072HB03 ,  3K082AA27 ,  3K082AA77 ,  3K082BA04 ,  3K082BA24 ,  3K082BA25 ,  3K082BA33 ,  3K082BC09 ,  3K082BC24 ,  3K082BC25 ,  3K082BC29 ,  3K082BD03 ,  3K082BD04 ,  3K082BD23 ,  3K082BD26 ,  3K082BD32 ,  3K082CA32
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM