特許
J-GLOBAL ID：200903078082346915

偏光制御素子、偏光制御素子の製造方法、偏光制御素子の設計方法、電子機器

発明者：
尼子 淳

尼子 淳 について

, 
澤木 大輔

澤木 大輔 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371264
公開番号（公開出願番号）：特開2006-178186
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 特性のより優れた偏光制御素子を得ることを可能とする技術を提供すること。 【解決手段】 第1の媒体中(10)に配置して用いられ、制御対象となる光の波長よりも小さい周期のストライプ構造を備える偏光制御素子の製造方法であって、上記第1の媒体の複素誘電率をe1、上記ストライプ構造を構成する第2の媒体(20)の複素誘電率をe2、上記第2の媒体の空間占有率をf(0<f<1)、複素数の実部をRe、虚部をImとそれぞれ表記したときに、Re[e1]>0、fRe[e1]+(1-f)Re[e2]<0、Im[e2]>0、の関係を満たすように素子条件を設定する第1過程と、上記第1過程において設定した上記素子条件を満たすように上記第2の媒体を選定し、上記ストライプ構造を形成する第2過程と、を含む、偏光制御素子の製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の媒体中に配置して用いられ、制御対象となる光の波長よりも小さい周期のストライプ構造を備える偏光制御素子の製造方法であって、 前記第1の媒体の複素誘電率をe1、前記ストライプ構造を構成する第2の媒体の複素誘電率をe2、前記第2の媒体の空間占有率をf(0<f<1)、複素数の実部をRe、虚部をImとそれぞれ表記したときに、 Re[e1]>0、 fRe[e1]+(1-f)Re[e2]<0、 Im[e2]>0、の関係を満たすように素子条件を設定する第1過程と、 前記第1過程において設定した前記素子条件を満たすように前記第2の媒体を選定し、前記ストライプ構造を形成する第2過程と、 を含む、偏光制御素子の製造方法。
IPC (1件)：
G02B 5/30
FI (1件)：
G02B5/30
Fターム (5件)：
2H049BA05 ,  2H049BA42 ,  2H049BA45 ,  2H049BB42 ,  2H049BC01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第6122103号明細書
  • 米国特許第6243199号明細書
審査官引用 (4件)
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