特許
J-GLOBAL ID：200903078105065137

電気的にプログラム可能な抵抗特性を有するクロスポイントメモリ

発明者：
シェン テン スー

シェン テン スー について

, 
ウェイ-ウェイ サン

ウェイ-ウェイ サン について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152439
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068984
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 外部影響(特に電気的パルス)により電気的抵抗が変化する特性を有する材料を用いた不揮発性メモリの大容量化を可能としたクロスポイントメモリデバイスを提供すること。【解決手段】 下部電極と上部電極とのクロスポイントに対応するビット領域は、互いに交差するように配列された下部電極と上部電極との間に配置されたアクティブ層の一部である。アクティブ層は、電気信号に応答して変化する抵抗性を有し得る材料である。下部電極と上部電極との間を通る電気信号は、ビット領域を通過する。ビット領域では、電気信号に応答して抵抗率を変化させる。
請求項（抜粋）：
a)基板と、b)該基板上に設けられた複数の下部電極と、c)該下部電極上に設けられた複数の上部電極と、d)該複数の上部電極と該複数の下部電極との間に配置された連続的なアクティブ層と、を含む、メモリ構造。
IPC (5件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 112 ,  G11C 11/15 130 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 112 ,  G11C 11/15 130 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (4件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 特許第6204139号
  • 記憶装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-019560   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-344383
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