特許
J-GLOBAL ID：200903078149769409

電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法

発明者：
佐藤 尚

佐藤 尚 について


出願人/特許権者：
エプソンイメージングデバイス株式会社

エプソンイメージングデバイス株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-142420
公開番号（公開出願番号）：特開2007-316110
出願日： 2006年05月23日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】2種類の薄膜トランジスタの製造工程を共通化した場合でも、一方の薄膜トランジスタについてはゲート絶縁層の膜厚を厚くする一方、他方の薄膜トランジスタではオン電流特性を向上可能な電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】液晶装置の素子基板10を構成するにあたって、絶縁膜4の厚い下層側絶縁膜4aを形成した後、この下層側絶縁膜4aの除去領域41、45を形成し、次に、薄い上層側絶縁膜4bを形成する。その結果、上層側絶縁膜4bによって、駆動回路用の薄膜トランジスタ1gのゲート絶縁層4g、および保持容量1hの誘電体層4cが形成される。また、下層側絶縁膜4aと上層側絶縁膜4bとによって、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ1cのゲート絶縁層4eが形成される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
素子基板上の画素領域内に、導電膜、絶縁膜および半導体膜により第1のゲート電極、 第1のゲート絶縁層および第1の能動層が各々構成された第1の薄膜トランジスタを有す る電気光学装置において、 前記素子基板上の画素領域外には、前記導電膜によって構成された第1のゲート電極、 前記絶縁膜において厚さ方向の一部が除去されてなる第2のゲート絶縁層、および前記半 導体膜によって構成された第2の能動層を備えた第2の薄膜トランジスタを有しているこ とを特徴とする電気光学装置。
IPC (5件)：
G09F 9/00 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
G09F9/00 348Z ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V
Fターム (66件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JB41 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA06 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094GB10 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110AA12 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN15 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435EE37 ,  5G435HH13
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特許第2584290号公報の第3図
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-229166   出願人：株式会社東芝
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306223   出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (5件)
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