特許

J-GLOBAL ID：200903078204251457

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中村 俊二 ,  吉田 英司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049422
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343862
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の構造及びその製造方法に関し、電極或いは配線層間の寄生容量を低減しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10上に形成された絶縁膜72と、絶縁膜72上に形成され、開口部82を有する絶縁膜78と、少なくとも開口部82内に形成された導電体84とを有し、絶縁膜72に、開口部82の形状に応じた周縁部の形状を有する空洞88が形成されている。電極或いは配線層間の領域に空洞88を形成しこれら電極或いは配線層間の誘電率を低減するので、電極或いは配線層間の領域の寄生容量を大幅に低減することができ、ひいては半導体装置の高速化に貢献する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、開口部を有する第2の絶縁膜と、少なくとも前記開口部内に形成された導電体とを有し、前記第1の絶縁膜に、前記開口部の形状に応じた周縁部の形状を有する空洞が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/108

FI (6件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 V ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/10 681 B ,  H01L 27/10 681 A ,  H01L 27/10 671 C

Fターム (101件)：

5F033HH04 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL01 ,  5F033MM07 ,  5F033MM11 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN19 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033RR30 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033VV01 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F083AD24 ,  5F083AD42 ,  5F083AD49 ,  5F083AD56 ,  5F083FR02 ,  5F083GA03 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA17 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-058672   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-066298   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-028241   出願人：富士通株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-172683   出願人：株式会社日立製作所