トランジスタ及びその動作方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-200127
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019309
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】ノーマリーオフ特性を有しながら、ドレイン電流を増加させることのできる半導体装置及びその動作方法を提供する。【解決手段】サファイア基板101上にAlNバッファ層102、アンドープGaN層103、アンドープAlGaN層104、p型コントロール層105、p型コンタクト層106がこの順に形成されている。また、トランジスタは、p型コンタクト層106にオーミック接触するゲート電極110と、アンドープAlGaN層104上に設けられたソース電極108およびドレイン電極109とを備えている。p型コントロール層105に正電圧を印加することで、チャネル内に正孔が注入され、チャネルを流れる電流を増加させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル領域を含む第1の半導体層と、前記チャネル領域の上または上方に設けられ、前記チャネル領域よりもバンドギャップが大きい第2の半導体層と、前記第2の半導体層の内部または上または上方に設けられたp型の導電性を有するコントロール領域と、前記コントロール領域の一部に接して設けられたゲート電極と、前記コントロール領域の両側方に設けられたソース電極およびドレイン電極とを備え、前記ゲート電極を前記ソース電極に対して順方向バイアスすることにより、前記チャネル領域に正孔が注入され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に流れる電流が制御されることを特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (20件)：

5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL03 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GM02 , 5F102GM04 , 5F102GM06 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR03 , 5F102GR07 , 5F102GV05

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-058021 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (8件)

特開昭61-230381
高移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-057070 出願人：古河電気工業株式会社
特開昭61-140181

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