特許
J-GLOBAL ID：200903078210396785

量子半導体装置およびその作製方法

発明者：
中田 義昭

中田 義昭 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146177
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349542
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】量子井戸型の濡れ層に起因する劣性要因を排除して、発光効率および波長多重を改善し、暗電流を防止する。【解決手段】量子半導体装置は、(a)下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してS-Kモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、(b)薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプI型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。薄膜結晶層は、下地半導体層に対してタイプII型のエネルギバンド不連続となる材料、または、下地半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料で構成される。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してS-Kモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、 前記薄膜結晶層の直上に位置し、前記下地半導体層に対してタイプI型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットと を備える量子半導体構造を有する量子半導体装置。
IPC (3件)：
H01L29/06 ,  H01L31/10 ,  H01S5/343
FI (3件)：
H01L29/06 601D ,  H01S5/343 ,  H01L31/10 A
Fターム (15件)：
5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049PA01 ,  5F049PA18 ,  5F049QA20 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073BA01 ,  5F073BA08 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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