特許
J-GLOBAL ID：200903078275249992

半導体装置

発明者：
都築 幸夫

都築 幸夫 について

, 
河野 憲司

河野 憲司 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-240595
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071217
出願日： 2007年09月18日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】ダイオード内蔵IGBT素子を備えた半導体装置において、ダイオードリカバリ動作時にIGBTとダイオードとの境界部に電流が集中しにくい構造を提供する。【解決手段】N-型ドリフト層11を含む半導体基板にIGBT素子として動作するIGBT領域1とダイオード素子として動作するダイオード領域2とが交互に繰り返しレイアウトされており、ダイオード領域2のうちもっともIGBT領域1側であって、N-型ドリフト層11の表層部に、N-型ドリフト層11からホールを引き抜くP型のショットキーコンタクト領域24を設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の層(11)を含む半導体基板にIGBT素子として動作するIGBT領域(1)とダイオード素子として動作するダイオード領域(2)とが交互に繰り返しレイアウトされてなる半導体装置であって、 前記ダイオード領域(2)は、当該ダイオード領域(2)のうちもっともIGBT領域(1)側であって、前記第1導電型の層(11)の表層部に、前記第1導電型の層(11)から少数キャリアを引き抜く第2導電型のショットキーコンタクト領域(24)を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (3件)：
H01L29/78 657D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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