特許
J-GLOBAL ID：200903078354391826

機械的ロバスト性のあるパッドインターフェースおよび方法

発明者：
スコット・ケー・ポッツダー

スコット・ケー・ポッツダー について

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トーマス・エス・コバヤシ

トーマス・エス・コバヤシ について


出願人/特許権者：
モトローラ・インコーポレイテッド

モトローラ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350865
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156070
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 プローブまたはパッケージングの間に加えられる可能性がある外力に強い複合ボンド・パッドを提供する。【解決手段】 複合ボンド・パッドは、半導体基板(100)上に形成された、非自己パシベート導電性ボンド・パッド(134)を含む。次に、導電性ボンド・パッド上に誘電体層(136)を形成する。誘電体層に穿設し、導電性ボンド・パッドの一部を露出させる。誘電体層の残りの部分は、ボンド・パッドを覆う支持構造(138)を形成する。ボンド・パッド構造を覆うように、自己パシベート導電性キャッピング層(204)を形成する。誘電体層内の穿孔により、キャッピング層および下地のボンド・パッドの露出部分間の電気的な接触が可能となる。支持構造は、機械的バリアを備え、キャッピング層およびボンド・パッド間の界面を保護する。
請求項（抜粋）：
半導体素子の形成方法であって:半導体基板(100)上に導電性ボンド・パッド(134)を形成する段階;前記導電性ボンド・パッド(134)上に誘電体層(136)を形成する段階;前記誘電体層(136)の一部を除去する段階であって、該誘電体層(136)の一部を除去することにより、前記導電性ボンド・パッド(134)上に複数の支持構造(138)を形成し、前記誘電体層(136)の一部を除去することにより前記導電性ボンド・パッド(134)の一部を露出させる段階;および前記複数の支持構造(138)を覆うように、導電性キャッピング層(204)を形成する段階であって、前記導電性キャッピング層(204)が前記導電性ボンド・パッド(134)の一部に電気的に接触するところの段階;から成ることを特徴とする方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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