特許
J-GLOBAL ID：200903078365641182
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-000859
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214474
出願日： 2003年01月07日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】外部信号に含まれるノイズに対し、対策を施した半導体装置と、該半導体装置の製造方法とを提供する。【解決手段】グランド電極18を有する半導体ペレット12と、該半導体ペレットに接続されて、ノイズが重畳される恐れがある外部からの信号を受ける外部信号端子15としてのアンテナ端子を備える半導体装置10において、前記外部信号に含まれるノイズを除去すべく、前記グランド電極18が電気的に接続されているグランド端子17により、前記外部信号端子15の少なくとも周囲半部が取り囲まれている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
グランド電極を有する半導体ペレットと、該半導体ペレットに接続されて、ノイズが重畳される恐れがある外部からの信号を受ける外部信号端子とを備える半導体装置において、
前記外部信号に含まれるノイズを除去すべく、前記グランド電極が電気的に接続されているグランド端子により、前記外部信号端子の少なくとも周囲半部が取り囲まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L23/12 E
, H01L23/12 301Z
, H01L23/12 501W
