特許
J-GLOBAL ID：200903078520064561
ニッケル合金スパッタリングターゲット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004685
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217967
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】熱的に安定なシリサイド(NiSi)膜の形成が可能であり、膜の凝集や過剰なシリサイド化が起り難く、またスパッタ膜の形成に際してパーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティも良好であり、さらにターゲットへの塑性加工性に富む、特にゲート電極材料(薄膜)の製造に有用なニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造技術を提供する。【解決手段】ニッケルにタンタルを0.5〜10at%含有するニッケル合金スパッタリングターゲット及びガス成分を除く不可避不純物が100wtppm以下であることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
ニッケルにタンタルを0.5〜10at%含有することを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C14/34
, C22C19/03
, C22F1/10
C23C14/34 A
, C22C19/03 G
, C22F1/10 A
4K029AA06
, 4K029BA25
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC08
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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