特許
J-GLOBAL ID：200903078538638492
窒化ガリウム活性層を有する二重ヘテロ接合発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-534069
公開番号（公開出願番号）：特表平11-504764
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】第1の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム層、逆の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム層、および該窒化アルミニウムガリウム層の間の窒化ガリウム活性層を含み、該窒化ガリウム層を第II族のアクセプターおよび第IV族のドナーの両者で共にドープし、該活性層が逆の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム隣接層とp-n接合を形成するように、ドーパントの1つが窒化ガリウム層を真性伝導形式にするのに十分な量で存在する発光ダイオードの二重ヘテロ構造。
請求項（抜粋）：
発光ダイオードの二重ヘテロ構造において、前記ヘテロ構造が 第1の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム層、 逆の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム層、および 前記窒化アルミニウムガリウム層の間の窒化ガリウム活性層を含み、前記窒化ガリウム層が、第II族のアクセプターおよび第IV族のドナーの両者で共にドープされ、前記ドーパントの1つが、前記窒化ガリウム活性層に真性伝導形式を与えるのに十分な量で存在し、前記活性層がそれと逆の伝導形式を有する該窒化アルミニウムガリウム隣接層とp-n接合を形成する二重ヘテロ構造。
引用特許：
前のページに戻る
