特許
J-GLOBAL ID：200903078571472540
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
荒船 良男
, 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-385333
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150364
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 高濃度にドープされたシリコン単結晶基板の主表面上に急峻な不純物プロファイルでシリコンエピタキシャル層を気相成長する。【解決手段】 ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして1×1019/cm3以上の濃度に添加され、裏面にCVD酸化膜1が形成されたシリコン単結晶基板PWに対し、CVD酸化膜1を残存させながら、シリコン単結晶基板PWの主表面上の酸化膜をフッ酸処理でウェットエッチングする(ステップS5)。次に水素ガス中でシリコン単結晶基板PWを950°C以下でベーキングし、シリコン単結晶基板PWの主表面上の自然酸化膜をドライエッチングする(ステップS7)。そして主エピタキシャル層3の成長温度よりも低温で副エピタキシャル層2を形成し(ステップS8)、900°C以上1200°C以下の温度で副エピタキシャル層2上に主エピタキシャル層3を形成する(ステップS9)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして添加されたシリコン単結晶基板の主表面上に副エピタキシャル層を形成する副エピタキシャル層形成工程と、
前記副エピタキシャル層上に主エピタキシャル層を形成する主エピタキシャル層形成工程と、をこの順に行うことにより、前記シリコン単結晶基板の主表面上に、主エピタキシャル層と副エピタキシャル層とを有するシリコンエピタキシャル層を形成するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記シリコン単結晶基板として、裏面にオートドープ防止用シリコン酸化膜が形成されたものを用い、
前記シリコン単結晶基板をフッ酸中に浸漬し、前記オートドープ防止用シリコン酸化膜を残存させつつ、前記シリコン単結晶基板の主表面上に形成された酸化膜をウェットエッチングするフッ酸処理工程と、
前記主エピタキシャル層の成長温度より低い温度に前記シリコン単結晶基板を加熱しながら、前記シリコン単結晶基板の主表面上に形成された自然酸化膜を水素ガス雰囲気中でドライエッチングするベーキング工程と、をこの順に行ってから前記副エピタキシャル層形成工程を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AF03
, 5F045BB05
, 5F045BB06
, 5F045DA66
, 5F045HA03
, 5F045HA04
出願人引用 (2件)
-
特開昭58-41799号公報
-
エピタキシャル層を形成する方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-230908
出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
審査官引用 (7件)
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