特許
J-GLOBAL ID：200903078610112611
微細パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103682
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312336
出願日： 1994年05月18日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 高反射性の下地基板の表面に形成される透明膜のばらつきによらず、パターンの線幅変動を極力防止できる微細パターンの形成方法を提供すること。【構成】 高反射基板20上に、透明膜24を成膜し、この透明膜24の上にレジスト膜28を成膜し、レジスト膜28のフォトリソグラフィー加工を行い、微細パターンを形成する方法において、上記基板20と透明膜24との間に、光学的に吸収性の高い高吸収膜22を配置し、しかもレジスト膜28の下層または上層に反射防止膜26を設け、露光を行う。
請求項（抜粋）：
高反射基板上に、透明膜を成膜し、この透明膜の上にレジスト膜を成膜し、レジスト膜のフォトリソグラフィー加工を行い、微細パターンを形成する方法において、上記基板と透明膜との間に、光学的に吸収性の高い高吸収膜を配置し、しかもレジスト膜の下層または上層に反射防止膜を設け、露光を行うことを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 501
, G03F 7/11 503
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 574
, H01L 21/30 502 Z
