特許
J-GLOBAL ID:200903078792387203
半導体装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-330499
公開番号(公開出願番号):特開2007-141957
出願日: 2005年11月15日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】半導体装置を構成する部材の熱膨張係数の相違に起因して発生する応力により当該半導体装置の構成部材等が破壊されることを防ぎ、信頼性を向上させた当該半導体装置及びその製造方法を提供するとともに、当該半導体装置における半導体素子がどのような大きさを有していても、特別な部材や特別な設備等を要することなく、当該半導体装置を簡易に製造することができる方法を提供する。【解決手段】半導体装置20は、半導体素子28と、前記半導体素子28から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材21と、前記半導体素28子の端部と前記透明部材の端面を封止する封止部材25と、を備え、前記半導体素子28は前記透明部材21と前記封止部材25によって封止され、前記透明部材21が前記封止部材25又は前記半導体素子28から受ける応力を緩和する緩衝部100を、前記透明部材21の前記端面と前記封止部材25との間に設けている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
半導体素子と、
前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、
前記半導体素子の端部と前記透明部材の端面を封止する封止部材と
を備えた半導体装置において、
前記透明部材の前記端面と前記封止部材との間に前記透明部材が前記封止部材又は前記半導体素子から受ける応力を緩和する緩衝部を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/02
, H01L 23/12
, H01L 27/14
FI (4件):
H01L23/02 K
, H01L23/02 F
, H01L23/12 501W
, H01L27/14 D
Fターム (11件):
4M118AA08
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118GD04
, 4M118HA02
, 4M118HA11
, 4M118HA20
, 4M118HA24
, 4M118HA30
引用特許:
出願人引用 (8件)
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特開昭62-67863号公報
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-127176
出願人:キヤノン株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-197393
出願人:京セラ株式会社
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審査官引用 (3件)
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