特許
J-GLOBAL ID：200903078793891568

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者：
出口 忠義

出口 忠義 について

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中川 敦

中川 敦 について

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小野 悟

小野 悟 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355369
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165314
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 高耐圧化を実現し、周波数分散を抑制することができる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第1の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第1の窒化物半導体層上に、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも1つを含む窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層を選択的に形成する。その後、マスク材上に、あるいはマスク材を除去して制御電極を形成する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、 基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、少なくとも制御電極形成領域を除く前記第1の窒化物半導体層上に選択的に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層に直接、あるいは絶縁膜を介して接続する制御電極とを備え、 前記第2の窒化物半導体層は、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも1つを含むことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (23件)：
5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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